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评论主题: 科技部发布国家重点研发计划重大科学仪器设备开发重点专项2018年度项目申报指南
评论对象: 达芬奇 | 2018-2-11 9:31:00
评论言论:

三、主要任务

1. 核心关键部件开发与应用

共性考核指标:目标产品应通过可靠性测试和第三方异地测试,技术就绪度达到9级;至少应用于2类仪器。明确发明专利、标准和软件著作权等知识产权数量;形成批量生产能力,明确项目验收时销售数量和销售额。

原则上,每个项目下设课题数不超过4个,项目所含单位总数不超过5个,实施年限不超过3年。

1.1 微焦X射线源用菲涅耳透镜

研究目标:开发微焦X射线源用菲涅耳透镜,突破纳米尺度微结构的高深宽比加工技术难题,开展工程化开发、应用示范和产业化推广,形成具有自主知识产权、质量稳定可靠的产品,实现在同步辐射、显微CT、软X射线成像等仪器中的应用。

考核指标:最外环宽度25nm@500eV,环高200nm@500eV;最外环宽度40nm@9keV,环高700nm@9keV;衍射效率1%@9keVX射线聚焦60nm。产品完成时应通过可靠性测试,平均故障间隔时间5000小时;技术就绪度达到9级。明确发明专利、标准和软件著作权等知识产权数量;形成批量生产能力,明确项目验收时销售数量和销售额。

1.2 S波段高功率微波源

研究目标:开发S波段高功率微波源,突破高压电子枪、高功率容量输出窗口技术,解决高功率微波源工作稳定性难题,开展工程化开发、应用示范和产业化推广,形成具有自主知识产权、质量稳定可靠的产品,实现在高能对撞机、同步辐射光源、自由电子激光装置、辐射成像装置、辐照加速器等仪器装置中的应用。

考核指标:频率范围1.55~3.4GHz;带宽2MHz;最大输出功率50MW;脉冲宽度2μs;脉冲重复频率50Hz;效率55%;增益50dB。产品完成时应通过可靠性测试,平均故障间隔时间5000小时;技术就绪度达到9级。明确发明专利、标准和软件著作权等知识产权数量;形成批量生产能力,明确项目验收时销售数量和销售额。

1.3 太赫兹倍频源

研究目标:开发太赫兹倍频源,突破太赫兹倍频电路设计与精密制造技术,采用国产倍频芯片,开展工程化开发、应用示范和产业化推广,形成具有自主知识产权、质量稳定可靠的产品,实现在太赫兹信号发生器、太赫兹矢量网络分析仪、太赫兹安全检测仪、太赫兹成像仪等仪器中的应用。

考核指标:3倍频输出频率范围0.325~0.5THz,最大输出功率≥-10dBm,倍频损耗≤20dB4倍频输出频率范围0.5~0.75THz,最大输出功率≥-20dBm,倍频损耗≤25dB4倍频输出频率范围0.75 ~1.1THz,最大输出功率≥-30dBm,倍频损耗≤30dB。产品完成时应通过可靠性测试,平均故障间隔时间≥5000小时;技术就绪度达到9级。明确发明专利、标准和软件著作权等知识产权数量;形成批量生产能力,明确项目验收时销售数量和销售额。

1.4 通用高精度匀场超导磁体

研究目标:开发通用高精度匀场超导磁体,突破大口径超导强磁体加工和高精度匀场设计等关键技术,开展工程化开发、应用示范和产业化推广,形成具有自主知识产权、质量稳定可靠的产品,实现在量子振荡检测仪、核磁谱仪、磁致冷和强磁场材料处理装置等仪器中的应用。

考核指标:磁场强度≥18T;孔径≥60mm;磁场相对不均匀度≤10-4@直径10mm内;磁场不稳定度≤10-5/h。产品完成时应通过可靠性测试,平均故障间隔时间≥5000小时;技术就绪度达到9级。明确发明专利、标准和软件著作权等知识产权数量;形成批量生产能力,明确项目验收时销售数量和销售额。

1.5 双曲面线性离子阱

研究目标:开发双曲面线性离子阱,突破双曲线形电极加工和四电极高精度平行绝缘装配等关键技术,开展工程化开发、应用示范和产业化推广,形成具有自主知识产权、质量稳定可靠的产品,实现在离子阱质谱仪、大型离子反应仪等仪器中的应用。

考核指标:电极长度≥100mm;双曲面电极表面粗糙度Ra≤0.1μm;双曲面线轮廓度≤0.4μm;离子阱综合几何精度≤5μm;质量范围50~4000amu;相对质量分辨率≤0.5amu2000amu范围内)。产品完成时应通过可靠性测试,平均故障间隔时间≥5000小时;技术就绪度达到9级。明确发明专利、标准和软件著作权等知识产权数量;形成批量生产能力,明确项目验收时销售数量和销售额。

1.6 宽光谱高灵敏电子倍增CCD成像探测器

研究目标:开发宽光谱高灵敏电子倍增CCD成像探测器,突破高灵敏光生电荷采集结构制备关键技术,开展工程化开发、应用示范和产业化推广,形成具有自主知识产权、质量稳定可靠的产品,实现在高灵敏度显微镜、微光探测仪、光谱分析仪等仪器中的应用。

考核指标:波长范围260~1000nm;像元数目≥1024×1024,像元尺寸≤13μm×13μm;倍增增益≥1000;最高信噪比≥45dB;峰值量子效率≥80%;暗电荷≤350e/pixel/s(常温);最高输出帧频≥10fps产品完成时应通过可靠性测试,平均故障间隔时间≥5000小时;技术就绪度达到9级。明确发明专利、标准和软件著作权等知识产权数量;形成批量生产能力,明确项目验收时销售数量和销售额。

1.7 太赫兹混频探测器

研究目标:开发太赫兹混频探测器,突破太赫兹混频电路设计与精密制造等关键技术,采用国产混频芯片,开展工程化开发、应用示范和产业化推广,形成具有自主知识产权、质量稳定可靠的产品,实现在太赫兹矢量网络分析仪、太赫兹频谱分析仪、太赫兹安全检测仪、太赫兹成像仪等仪器中的应用。

考核指标:2次谐波混频频率范围0.325~0.5THz,中频频率范围20~300MHz,变频损耗≤17dB4次谐波混频频率范围0.5~0.75THz,中频频率范围20~300MHz,变频损耗≤30dB4次谐波混频频率范围0.75~1.1THz,中频频率范围20~ 300MHz,变频损耗≤35dB。产品完成时应通过可靠性测试,平均故障间隔时间≥5000小时;技术就绪度达到9级。明确发明专利、标准和软件著作权等知识产权数量;形成批量生产能力,明确项目验收时销售数量和销售额。

1.8 InGaAs探测器

研究目标:开发InGaAs探测器,突破单光子信号探测芯片设计制造关键技术,开展工程化开发、应用示范和产业化推广,形成具有自主知识产权、质量稳定可靠的产品,实现在近红外光谱分析仪、近红外成像仪、光纤光谱分析仪等仪器中的应用。

考核指标:光谱范围760~1800nm;平均光子探测效率≥20%;暗计数≤3kcps;暗电流≤0.3nA@击穿电压;时间分辨率≤2ns;峰值量子效率≥80%;工作温度范围-40~+65℃;湿度范围5~ 95%RH。产品完成时应通过可靠性测试,平均故障间隔时间≥5000小时;技术就绪度达到9级。明确发明专利、标准和软件著作权等知识产权数量;形成批量生产能力,明确项目验收时销售数量和销售额。

1.9 大面积低剂量闪烁体平板探测器

研究目标:开发大面积低剂量闪烁体平板探测器,突破高速帧率采集、高填充系数大面积探测、高效率低剂量探测等关键技术,开展工程化开发、应用示范和产业化推广,形成具有自主知识产权、质量稳定可靠的产品,实现在工业检测X射线成像仪、医学X射线成像仪等仪器中的应用。

考核指标:有效探测面积≥30cm×30cm;像素尺寸≤150μm;最高帧频120fps;最低成像剂量≤5nGy;量子检测效率≥75% @20μGy;极限分辨率≥3.3Lp/mm产品完成时应通过可靠性测试,平均故障间隔时间≥5000小时;技术就绪度达到9级。明确发明专利、标准和软件著作权等知识产权数量;形成批量生产能力,明确项目验收时销售数量和销售额。

1.10 高分辨耐辐照硅探测器

研究目标:开发高分辨率耐辐照硅探测器,突破离子注入与表面钝化等关键技术,开展工程化开发、应用示范与产业化推广,形成具有自主知识产权、质量稳定可靠的产品,实现在X射线衍射仪、高能粒子谱仪和X射线成像谱仪等仪器中的应用。

考核指标:探测面积≥5cm×5cm;位置分辨率≤100μm;漏电流密度≤2nA/cm2@耗尽电压;探测器工作电压≥600V;抗辐照指标≥1×1015nep/cm2。产品完成时应通过可靠性测试,平均故障间隔时间≥5000小时;技术就绪度达到9级。明确发明专利、标准和软件著作权等知识产权数量;形成批量生产能力,明确项目验收时销售数量和销售额。


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